发明名称 |
装置、系统及用于制造穿衬底通孔及前侧结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及制造半导体装置的方法以及具有穿衬底通孔TSV的半导体装置。制造半导体装置的方法的一个实施例包含:形成穿过电介质结构及半导体衬底的至少一部分的开口;及形成电介质衬里材料,所述电介质衬里材料具有向所述开口加衬的第一部分及在所述电介质结构的在所述开口的横向外侧的外表面上的第二部分。所述方法进一步包含:移除导电材料使得所述电介质衬里材料的所述第二部分被暴露;及在所述电介质衬里材料的所述第二部分中形成电耦合到所述TSV的镶嵌导电线。 |
申请公布号 |
CN105814674A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201480066223.6 |
申请日期 |
2014.10.30 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
阿努拉格·金达;贺健;拉拉贝特·拉恩冈·瓦苏德万;凯尔·K·柯比;李红旗 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种制造半导体装置的方法,其包括:形成穿过电介质结构且穿过所述电介质结构下方的半导体衬底的至少一部分的开口,其中所述开口经配置以接纳用于穿衬底通孔TSV的材料;形成电介质衬里材料,使得所述电介质衬里材料具有向所述开口加衬的第一部分及在所述电介质结构的在所述开口的横向外侧的外表面上的第二部分;沉积导电材料,使得所述导电材料的第一部分是在所述开口中且所述导电材料的第二部分是在所述电介质衬里材料的所述第二部分的在所述开口的横向外侧的经暴露表面上;移除所述导电材料的所述第二部分,使得所述电介质衬里材料的所述第二部分被暴露,其中所述电介质衬里材料的所述第二部分的至少一部分剩余在所述电介质结构上且所述导电材料的所述第一部分的显著部分剩余在所述开口中,使得所述导电材料的所述第一部分的所述剩余部分界定TSV;以及在所述电介质衬里材料中形成电耦合到所述TSV的镶嵌导电线。 |
地址 |
美国爱达荷州 |