| 发明名称 | 一种NANDFlash的字线制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NAND Flash的字线制作方法及存储器，所述方法包括：在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等；分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。改善了边缘字线在曝光时的形貌，进而改善了牺牲层图形和侧墙的形貌，提高了字线制作工艺的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105810641A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610304952.1 | 申请日期 | 2016.05.10 |
| 申请人 | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 罗啸;陈春晖;熊涛;舒清明 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬;孟金喆 |
| 主权项 | 一种NANDFlash的字线制作方法，其特征在于，包括：在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等；分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15 | ||