发明名称 METHOD FOR IMPLANT PRODUCTIVITY ENHANCEMENT
摘要 작업물을 프로세싱하는 방법이 개시되며, 여기에서 이온 챔버는 먼저 희망되는 도펀트 종 및 다른 종으로 코팅된다. 이러한 컨디셔닝 프로세스 다음에, 불소 및 희망되는 도펀트를 포함하는 공급가스가 챔버로 도입되고 이온화된다. 그런 다음, 이온들이 챔버로부터 추출되고 작업물을 향해 가속되며, 여기에서 이온들이 먼저 질량 분석되지 않은 상태로 주입된다. 컨디셔닝 프로세스 동안 사용되는 다른 종은 3 족, 4 족, 또는 5 족 원소일 수 있다. 희망되는 도펀트 종은 붕소일 수 있다.
申请公布号 KR20160089490(A) 申请公布日期 2016.07.27
申请号 KR20167016898 申请日期 2014.11.06
申请人 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 发明人 KURUNCZI PETER F.;KOO BON WOONG;FRONTIERO JOHN A.;LEVAY WILLIAM T.;LEAVITT CHRISTOPHER J.;MILLER TIMOTHY J.;BHOSLE VIKRAM M.;JOHN W. GRAFF;BATEMAN NICHOLAS P. T.
分类号 H01L21/265;H01J37/08 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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