发明名称 | 微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构,利用带状线作为微带线和折叠型基片集成波导的中间媒介,通过在中间金属导带的两侧添加连接上下接地板的金属通孔,抑制高次模的辐射,获得更小的泄露损耗。本发明是一种更宽频带的微带线到折叠型基片集成波导过渡,研究微带线和带状线间的模式转换和模式抑制,利用带状线作为微带线和FSIW的中间媒介,实现单层板传输线到多层板传输线的过渡,从而实现折叠型基片集成波导的广泛应用。 | ||
申请公布号 | CN105789804A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
申请号 | CN201610139346.9 | 申请日期 | 2016.03.11 |
申请人 | 南京邮电大学 | 发明人 | 许锋;许娇娇 |
分类号 | H01P5/10(2006.01)I | 主分类号 | H01P5/10(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 朱小兵 |
主权项 | 微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构,其特征在于,包括上、下层介质基板、顶层金属层、中间金属层、底层金属层、第一和第二金属通孔列,顶层金属层位于上层介质基板的上表面,中间金属层位于上、下层介质基板之间,底层金属层位于下层介质基板的下表面;第一、第二金属通孔列平行,且与顶层金属层、中间金属层、底层金属层构成FSIW,其中,第一金属通孔列连通顶层金属层、中间金属层、底层金属层,第二金属通孔列连通顶层金属层、底层金属层,第二金属通孔列与中间金属层之间存在间隙;中间金属层上设置有第一、第二带状线以及第一、第二微带线,其中,第一、第二带状线分别与FSIW中间金属层靠近第二金属通孔列一侧的两端连接,用以激励FSIW;第一、第二微带线分别与第一、第二带状线连接,作为输入端口。 | ||
地址 | 210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 |