一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。本发明利用物理气相沉积的方法制备三氧化钼二维原子晶体，该方法无需任何催化剂、不需要任何载气，并且有着低成本、制备工艺简单、制备流程无毒、快速高效的优点，而且对外界环境要求不高，可以获得大尺寸、层数可控的三氧化钼二维原子晶体。

主权项

一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。