| 发明名称 | 一种应用于半导体激光器的衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种应用于半导体激光器的衬底，解决现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该衬底的衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区，衬底底面作为与散热器的键合面；所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体，绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得：所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区，从衬底正面到衬底背面表现为导电联通；所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN105790063A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610164657.0 | 申请日期 | 2016.03.22 |
| 申请人 | 西安炬光科技股份有限公司 | 发明人 | 刘兴胜;蔡万绍;陶春华;邢卓;宋涛 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/022(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 胡乐 |
| 主权项 | 一种应用于半导体激光器的衬底，衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区，衬底底面作为与散热器的键合面；其特征在于：所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体，绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得：所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区，从衬底正面到衬底背面表现为导电联通；所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。 | ||
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园 | ||