绝缘栅双极晶体管结构

摘要

本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构，包括：位于底部的集电极，设置在集电极的顶部上的第二导电型的集电区，设置在集电区的顶部上的第一导电型的缓冲区，设置在缓冲区的顶部上的第一导电型的漂移区，被漂移区的上表面部分围绕的绝缘材料制成的掩埋电介质，设置在漂移区的顶部上，并邻近掩埋电介质的第二导电型的超薄多晶硅基区，被漂移区的上表面部分围绕且邻近多晶硅基区的栅电介质，被栅电介质部分围绕的栅电极，邻近栅电介质并位于基区和掩埋电介质的顶部上的第一导电型的多晶硅发射区，平行于发射区的第二导电型的多晶硅扩散区，短接发射区和扩散区的发射极，将发射极与栅电极相隔离的层间电介质。可以使器件具有理论上最低通态压降。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管结构，其特征是：所述的结构包括：位于底部的集电极（323），设置在所述集电极（323）的顶部上的第二导电型的集电区（316），设置在所述集电区（316））的顶部上的第一导电型的缓冲区（315），设置在所述缓冲区（315）的顶部上的第一导电型的漂移区（314），被所述漂移区（314）的上表面部分围绕的绝缘材料制成的掩埋电介质（333），设置在所述漂移区（314）的顶部上，并邻近所述掩埋电介质（333）的第二导电型的超薄多晶硅基区（313），被所述漂移区（314）的上表面部分围绕且邻近所述多晶硅基区（313）的栅电介质（332），被所述栅电介质（332）部分围绕的栅电极（322），邻近所述栅电介质（332）并位于所述基区（313）和所述掩埋电介质（333）的顶部上的第一导电型的多晶硅发射区（311），平行于所述发射区（311）的第二导电型的多晶硅扩散区（312），短接所述发射区（311）和扩散区（312）的发射极（321），将所述发射极（321）与所述栅电极（322）相隔离的层间电介质（331）。