沟槽型半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种沟槽型半导体器件及其制作方法，包括：1）提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层；在外延层内形成沟槽；2）形成第一氧化层；3）形成屏蔽电极；4）形成厚度均匀的第二氧化层及隔离氧化层；5）沉积第二多晶硅作为栅电极。使用超低温高掺杂多晶硅来做屏蔽电极，并通过直接氧化所述屏蔽电极形成隔离氧化层，可使得屏蔽电极氧化速率大于沟槽侧壁的氧化速率，这样在不改变栅氧厚度的前提下，可以显著提高所述隔离氧化层与所述第二氧化层的比例，使得二者的比例可以达到2以上，进而使得器件具有耐压高、漏电小的特性，大大提高了器件的性能。

主权项

一种增加局部半导体表面氧化层厚度的方法，其特征在于，包含：1)提供氧化层的生长面，其中至少部分所述生长面由第一多晶硅提供；以及2)在所述生长面形成氧化层，其中采用所述第一多晶硅作为生长面所形成的氧化层厚度均匀，且大于其余部分生长面上方形成的氧化层厚度的1.3倍。