| 发明名称 | 用于闪存单元的纳米硅尖薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于闪存单元的诸如纳米硅尖(SiNT)薄膜的量子纳米尖(QNT)以增大擦除速度。QNT薄膜包括第一介电层和布置在第一介电层上方的第二介电层。此外，QNT薄膜包括布置在第一介电层上方并且延伸至第二介电层内的QNT。QNT高宽比大于50％。本发明还提供了QNT基的闪存单元和一种用于制造SiNT基的闪存单元的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105789214A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201510811717.9 | 申请日期 | 2015.11.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 苏祖辉;陈志明;蔡嘉雄;喻中一;王嗣裕 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种闪存单元，包括：半导体衬底；以及量子纳米尖薄膜，被配置为捕获对应于单元数据的电荷，其中，所述薄膜包括：第一介电层，布置在所述半导体衬底上方；第二介电层，布置在所述第一介电层上方；以及量子纳米尖，布置在所述第一介电层上方并且延伸至所述第二介电层内，其中，所述量子纳米尖终止在所述第二介电层内的点。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||