| 发明名称 | 一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置 | ||
| 摘要 | 一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，主要解决现有的半导体镀膜设备容易在加热盘和陶瓷环间隙发生打火，从而导致整个工艺结果失败及腔体硬件损伤等问题，本实用新型提供一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环。本实用新型缩小了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙，避免了反应腔室内发生打火，从而可以提高反应腔室内工艺的稳定性，避免反应腔室内硬件损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN205388967U | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201520646553.4 | 申请日期 | 2015.08.25 |
| 申请人 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 发明人 | 刘忆军;凌复华;杨凌旭 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人 | 陈福昌 |
| 主权项 | 一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，其特征在于，该装置包括加热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带凹台阶的陶瓷环，所述陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙小于0.7mm，所述陶瓷环内径减小0.6mm。 | ||
| 地址 | 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层 | ||