一种压力计芯片及其制造工艺

摘要

本发明涉及传感器领域，特别涉及一种压力计芯片以及其制造工艺。一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的压力计芯片；所述压力计芯片在所述腔体内受被检测的外界压力均匀压缩并且能够自由的产生形变。所述压力计芯片基本由单晶硅制成，包括相互连接的基板及盖板；所述盖板上形成有凹陷部，并与所述基板形成一个密封空腔，所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述基板包括压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述空腔之内。本压力计芯片适合测量超高压力，受温度影响较小，可以在高温的环境中使用，而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。

主权项

一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的压力计芯片，所述压力计芯片由单晶硅制成，包括相互连接的基板及盖板，其特征在于：所述盖板上形成有凹陷部，所述凹陷部与所述基板形成一密封空腔，所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述基板上设置有至少两组压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述空腔之内，两组压阻测量元件之间相互垂直，每组所述压阻测量元件沿不同的晶体方向设置。