沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N‑型基区、P型基区、N+缓冲层、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、多晶栅、集电极、发射极、栅电极、P+型基区、载流子存储层、P‑型浮空层；所述N‑型基区、N+缓冲层、背P+发射区、集电极自上而下依次设置；所述N‑型基区的上部周边设有槽体，槽体内设置P‑型浮空层。本发明提出的沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在传统的沟槽IGBT结构中引入载流子存储层存储层可以增大电子扩散，避免电流集中，增强电导调制；同时在沟槽栅的下端又附加了一层P‑型浮空层，可以起到分压的作用，提到器件的耐压。

主权项

一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N‑型基区(1)、P型基区(2)、N+缓冲层(3)、背P+发射区(4)、N+集电区(5)、栅氧化层(6)、多晶栅(7)、集电极(8)、发射极(9)、栅电极(10)、P+型基区(11)、载流子存储层(12)、P‑型浮空层(13)；所述N‑型基区(1)、N+缓冲层(3)、背P+发射区(4)、集电极(8)自上而下依次设置；所述N‑型基区(1)的上部周边设有槽体，槽体内设置P‑型浮空层(13)；所述N‑型基区(1)的上方的中部自下而上依次设置载流子存储层(12)、P型基区(2)；P型基区(2)上方设置P+型基区(11)、N+集电区(5)，P+型基区(11)设置于N+集电区(5)内，被N+集电区(5)包围；所述P+型基区(11)上方设置栅电极(10)，栅电极(10)分别与P+型基区(11)、N+集电区(5)相接；所述P‑型浮空层(13)上方设置所述栅氧化层(6)，栅氧化层(6)的主体外侧周边设置多晶栅(7)，多晶栅(7)与P‑型浮空层(13)不接触；所述N+集电区(5)、P型基区(2)、载流子存储层(12)设置于栅氧化层(6)的主体内侧；所述多晶栅(7)上方设置发射极(9)，发射极(9)与多晶栅(7)、栅氧化层(6)接触。