| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：栅极绝缘层；具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域的有源层；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层；设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触、不同时与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触，或者所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN105789326A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610318303.7 | 申请日期 | 2016.05.13 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 吕振华;王世君;陈希;尤杨;王磊 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;李峥 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极绝缘层；有源层，所述有源层具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触，且所述第三掺杂层不同时与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触，或者所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||