| 发明名称 | 一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有浮栅材料层、隔离层、控制栅材料层和硬掩膜层，其中，所述硬掩膜层在竖直方向上具有不同的湿法蚀刻速率；步骤S2：图案化所述硬掩膜层，以形成开口，露出所述控制栅材料层；步骤S3：湿法蚀刻所述硬掩膜层，以扩大所述开口，形成上宽下窄的倒锥形开口；步骤S4：以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述控制栅材料层、所述隔离层和所述浮栅材料层，以形成上窄下宽的锥形浮栅和控制栅。通过本发明所述方法能够在尺寸更小的器件中形成锥形浮栅和控制栅，所述锥形浮栅和控制栅之间的空隙更加容易填充。 | ||
| 申请公布号 | CN105789136A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410841378.4 | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王彦;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有浮栅材料层、隔离层、控制栅材料层和硬掩膜层，其中，所述硬掩膜层在竖直方向上具有不同的湿法蚀刻速率；步骤S2：图案化所述硬掩膜层，以形成开口，露出所述控制栅材料层；步骤S3：湿法蚀刻所述硬掩膜层，以扩大所述开口，形成上宽下窄的倒锥形开口；步骤S4：以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述控制栅材料层、所述隔离层和所述浮栅材料层，以形成上窄下宽的锥形浮栅和控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||