发明名称 一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构及其应用
摘要 本发明公开了一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构,其特征在于,包括中空上下敞口的极性基体(3),所述极性基体(3)的中空部由下至上依次填充有导体材料层(1)和半导体材料层(2),所述半导体材料层(2)填充至与基体口部外缘上表面齐平,由所述半导体材料层、极性基体口部外缘上表面形成的表面上间隔涂覆有条状石墨烯材料层(4)。本发明石墨烯超表面吸收结构具有电调谐特性,即在该结构上加载电压时,吸收频段会随电压变化而改变;既可单独调谐,也可实现联调。通过石墨烯表面结构实现电压调控吸收频点的位置及个数;本发明同时具备环境介电常数可调谐吸收率的特性,可用作材料检测等。
申请公布号 CN105789363A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201610256610.7 申请日期 2016.04.20
申请人 黄山学院 发明人 宁仁霞;焦铮;许媛;鲍婕
分类号 H01L31/09(2006.01)I 主分类号 H01L31/09(2006.01)I
代理机构 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 代理人 王伟
主权项 一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构,其特征在于,包括中空上下敞口的极性基体(3),所述极性基体(3)的中空部由下至上依次填充有导体材料层(1)和半导体材料层(2),所述半导体材料层(2)填充至与基体口部外缘上表面齐平,由所述半导体材料层、极性基体口部外缘上表面形成的表面上间隔涂覆有条状石墨烯材料层(4)。
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