| 发明名称 | 一种单芯片双向IGBT单管的封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距；通过将两发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。 | ||
| 申请公布号 | CN105789292A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610293097.9 | 申请日期 | 2016.05.05 |
| 申请人 | 湖南大学;江西中能电气科技股份有限公司 | 发明人 | 曾重;敖杰;王俊;沈征 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 郝瑞刚 |
| 主权项 | 一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距。 | ||
| 地址 | 410082 湖南省长沙市岳麓区岳麓山南路2号 | ||