一种提高GaN-LED出光稳定性的低损伤图形衬底的制备方法

摘要

本发明涉及一种提高GaN‑LED出光稳定性的低损伤图形衬底的制备方法。该方法包括按现有技术在蓝宝石衬底上制备规则的掩膜图形，湿法腐蚀制出蓝宝石图形衬底,最后去除掩膜层，其中，在湿法腐蚀前，在蓝宝石衬底下面蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1‑1μm，以保护衬底，得到的图形衬底透明度均一，在图形衬底上生长外延层，该过程中生长均一性将明显提高，制得的GaN‑LED出光稳定性好。

主权项

一种提高GaN‑LED出光稳定性的低损伤的图形衬底的制备方法，步骤如下：（1）在蓝宝石衬底上面利用等离子体化学气相沉积工艺蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜层，掩膜层的厚度为0.1‑0.5μm；（2）在上述掩膜层上涂上一层光刻胶，利用光刻胶将图形转移到掩膜层上，显影后，采用感应耦合等离子体刻蚀（ICP），以SF6气体刻蚀掩膜层，然后按常规方法去掉光刻胶，用去离子水清洗，形成规则的掩膜图形；（3）将步骤（2）制得的蓝宝石衬底利用等离子体化学气相沉积工艺在衬底下面沉积一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1‑0.5μm；（4）湿法腐蚀将步骤（3）的制品在硫酸和磷酸混合的高温酸中250～400℃腐蚀15～40分钟，取出，用去离子水冲洗干净，得到上面刻蚀有图形的蓝宝石衬底；（5）然后按常规方法去掉蓝宝石衬底掩膜层，再通过丙酮、乙醇、去离子水清洗，即得低损伤的图形衬底。