| 发明名称 | 双极性晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。 | ||
| 申请公布号 | CN105793966A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201480057758.7 | 申请日期 | 2014.08.27 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 大川峰司;江口博臣;金原啓道;池田智史 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/732(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种双极性晶体管，其为具有半导体基板的双极性晶体管，其中，半导体基板具有：p型的发射区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；p型的集电区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；n型的基区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射区与集电区之间；p型的第一埋入区，其被设置于基区的下方；n型区，其与基区相比n型杂质浓度较低，并且与发射区、集电区、基区、第一埋入区相接，并使发射区与基区以及第一埋入区分离，且使集电区与基区以及第一埋入区分离，基区的一部分与第一埋入区相比向集电区侧突出。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||