| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的金属栅极结构；以及接近金属栅极结构的间隔件，间隔件具有延伸至金属栅极结构内并且与衬底接触的边缘部分。金属栅极结构包括高k介电层和位于高k介电层上的金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105789300A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410812448.3 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张哲诚;程潼文;陈建颖;林木沧 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；金属栅极结构，位于所述衬底上；以及间隔件，接近所述金属栅极结构，所述间隔件具有延伸至所述金属栅极结构内并且与所述衬底接触的边缘部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||