具有垂直围栅MOSFET的SRAM单元

摘要

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括第一边界和与第一边界相对且平行的第二边界、第一和第二上拉晶体管、与第一和第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器的第一和第二下拉晶体管、以及第一和第二传输栅极晶体管。第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、以及第一传输栅极晶体管和第二传输栅极晶体管中的每一个均包括作为第一源极/漏极区的底板、位于底板上方的沟道、以及位于沟道上方作为第二源极/漏极区的顶板。SRAM单元还包括第一、第二、第三和第四有源区，每个有源区均从第一边界延伸至第二边界。本发明还提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列。

主权项

一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一边界和第二边界，所述第二边界与所述第一边界相对且平行；第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管与所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器；第一传输栅极晶体管和第二传输栅极晶体管，其中，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管、所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管、以及所述第一传输栅极晶体管和所述第二传输栅极晶体管中的每一个均包括作为第一源极/漏极区的底板、位于所述底板上方的沟道、以及位于所述沟道上方作为第二源极/漏极区的顶板；以及第一、第二、第三和第四有源区，每个所述有源区从所述第一边界延伸至所述第二边界。