发明名称 |
基于基片集成波导互补开口谐振环的低插损宽带滤波器 |
摘要 |
一种基于基片集成波导互补开口谐振环的低插损宽带滤波器,包含两个特征阻抗为50Ω的内窥微带线与四个加载互补开口谐振环的基片集成波导单元。基片集成波导单元包含三层结构:顶层金属层,中间层包含了介质基板和金属通孔,底层金属底。所述顶层金属层中心分别刻蚀了一个开口谐振环,且在第二个波导单元与第三个波导单元之间刻蚀一个侧放的几字形缝隙。同样在底层金属第二个波导单元与第三个波导单元之间刻蚀一个与顶层方向相反的几字形缝隙。本发明采用基片集成波导技术,在波导中引入互补开口谐振环以实现滤波器的小型化,在顶层和底层引入的几字形缝隙和在中间层的三个金属通孔可以实现第二个波导单元与第三个波导单元的电耦合。再利用传统滤波器的耦合理论,获得低差损宽带具有双传输零点的高选择性小型化滤波器。 |
申请公布号 |
CN105789786A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610185507.8 |
申请日期 |
2016.03.29 |
申请人 |
西南大学 |
发明人 |
黄杰;耿艳辉;魏治华;李晶;徐国庆;陈元龙;赵行越;姚睿远 |
分类号 |
H01P1/203(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/203(2006.01)I |
代理机构 |
重庆华科专利事务所 50123 |
代理人 |
康海燕 |
主权项 |
基于基片集成波导互补开口谐振环的低插损宽带滤波器,其特征在:所述滤波器包含两端的内窥微带线和中间的四个成田字形排布的基片集成波导单元,从左下角顺时针依次为第一、第二、第三和第四基片集成波导单元;所述基片集成波导有顶层金属、中间层和底层金属底三层结构,其中中间层包含介质基板和连接顶层金属和底层金属的金属通孔,所述顶层金属的中心位置刻蚀一个开口谐振环;在顶层金属第二基片集成波导单元与第三基片集成波导单元的之间刻蚀一个侧放的几字形缝隙,在底层金属第二波导单元与第三波导单元之间刻蚀一个与顶层方向相反的几字形缝隙,两个缝隙的凹陷部分反向重合,并在中间层上对应两个几字形缝隙之间的位置设有三个金属通孔,使顶层金属和底层金属底导通,实现第二波导单元与第三波导单元的电耦合。 |
地址 |
400715 重庆市北碚区天生路2号 |