一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法

摘要

本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法。本发明利用高功率热源迅速提升样品表面温度，样品另一侧用恒温平台控制在室温；由于样品衬底位导热率极其高的硅片，温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内，从而形成一个很大的温度梯度，使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度，这一部分发生融化、回流现象，减小了粗糙度，而样品整体形貌则并没有发生改变。该方法简便、有效、兼容性好、适用度广，对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。

主权项

一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法，其特征在于具体步骤如下：（1）准备微纳结构样品，其表面为光刻胶图形；（2）将样品置于强热源下，有图形的一侧面向热源，另一侧置于一恒温冷却片上，使之恒定在室温状态；（3）热处理较短时间后迅速取出，快速冷却；（4）反复上述步骤（3）多次，直到达到预期的粗糙度等级。