| 发明名称 | 一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料，它为Sm和Ba两种元素共同进行Sr位取代的具有巨介电性能的SrTiO<sub>3</sub>基陶瓷材料，其化学式为Ba<sub>x</sub>Sr<sub>0.97‑x</sub>Sm<sub>0.02</sub>TiO<sub>3</sub>，其中x表示Ba的摩尔分数，0.1≤x≤0.4；Sm的摩尔分数固定为0.02。本发明以SrCO<sub>3</sub>、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>、BaCO<sub>3</sub>为原料，并按Ba<sub>x</sub>Sr<sub>0.97‑x</sub>Sm<sub>0.02</sub>TiO<sub>3</sub>的化学计量比进行混合后球磨，烘干、预烧、二次球磨、造粒、成型、烧结等步骤制备所述电介质陶瓷材料，所得材料的介电常数高(>20000)、介电损耗低(<0.05)，具有优良的温度和频率稳定性；且涉及的制备方法简单，重复性好，成品率高，成本低，适合推广应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105777111A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610169211.7 | 申请日期 | 2016.03.23 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 刘韩星;李广耀;郝华;曹明贺;陈卓 |
| 分类号 | C04B35/47(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料，其特征在于，它为采用Ba和Sm共同进行Sr位取代的SrTiO<sub>3</sub>基巨介电陶瓷材料，其通式为Ba<sub>x</sub>Sr<sub>0.97‑x</sub>Sm<sub>0.02</sub>TiO<sub>3</sub>，其中x的取值范围为0.1≤x≤0.4，Sm的掺杂量固定为0.02。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||