| 发明名称 | 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于介质陶瓷技术领域，公开了一种高介电常数、低介质损耗的纳米介质陶瓷及其制备方法。该纳米介质陶瓷由包括摩尔比为90:10～100:0的二氧化钛和α‑三氧化二铝，以及相对于氧化钛和α‑三氧化二铝总质量的0.1～5％的助烧剂的组分组成。本发明的高介电常数、低介质损耗纳米介质陶瓷具有超高的品质因数，Q×f值很高，晶粒大小小于200nm，介电常数为96～105，介电损耗值为0.000033～0.0001，频率温度系数为380～440ppm/℃，具有极大的应用价值和市场潜力，可应用于无源微波器件作为高功率微波介质谐振器、高功率介质滤波器或微波天线、温度补偿器件等电子设备，或微波电子元器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN105777108A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610206761.1 | 申请日期 | 2016.04.01 |
| 申请人 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 发明人 | 马才兵;殷旺;吕开明 |
| 分类号 | C04B35/46(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 杨燕瑞;谢静娜 |
| 主权项 | 一种高介电常数、低介质损耗的纳米介质陶瓷，其特征在于由包括摩尔比为90:10～100:0的二氧化钛和α‑三氧化二铝，以及相对于氧化钛和α‑三氧化二铝总质量的0.1～5％的助烧剂的组分组成。 | ||
| 地址 | 526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业园4号楼4-5层 | ||