发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及一种电力设备所使用的半导体装置,该半导体装置具有:基座板(16);绝缘基板(29),其搭载于基座板(16)之上;以及电力用开关元件(21),其通过焊料层(31)而接合于绝缘基板之上,由基座板(16)、绝缘基板(29)以及电力用开关元件(21)构成模块,在模块之上具有控制基板(CS),在该半导体装置中,控制基板(CS)具有可变栅极电压电路(90),该可变栅极电压电路(90)对电力用开关元件(21)的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至电力用开关元件(21)。 |
申请公布号 |
CN105794094A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201380081425.3 |
申请日期 |
2013.12.04 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
河面英夫;王丸武志;齐藤省二 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I;H02M1/32(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
一种半导体装置,其具有:基座板(16);绝缘基板(29),其搭载于所述基座板之上;以及电力用开关元件(21),其通过焊料层(31)而接合于所述绝缘基板之上,由所述基座板、所述绝缘基板以及所述电力用开关元件构成模块,在所述模块之上具有控制基板(CS),在所述半导体装置中,所述控制基板具有可变栅极电压电路(90),该可变栅极电压电路(90)对所述电力用开关元件的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由所述集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至所述电力用开关元件。 |
地址 |
日本东京 |