发明名称 |
阵列基板及液晶显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及液晶显示装置,该阵列基板包括:一玻璃基板;遮光金属层,其设置于所述玻璃基板上,该遮光金属层具有第一区域以及第二区域;第一绝缘层,其设置于所述玻璃基板以及所述遮光金属层上;薄膜晶体管,其设置于所述第一绝缘层上,该薄膜晶体管具有源极、漏极、栅极以及半导体层;像素电极层,其与所述漏极电连接;公共电极层,其与所述遮光金属层电连接,所述像素电极层与所述公共电极层之间形成第一存储电容;所述遮光金属层的第一区域用于遮光,所述遮光金属层的第二区域与所述漏极正对以在该遮光金属层的第二区域与所述漏极之间形成第二存储电容。本发明具有提高液晶显示装置的存储电容,进而提高显示性能的有益效果。 |
申请公布号 |
CN105785676A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610281287.9 |
申请日期 |
2016.04.29 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
王聪 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
黄威 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:一玻璃基板;遮光金属层,其设置于所述玻璃基板上,该遮光金属层具有第一区域以及第二区域;第一绝缘层,其设置于所述玻璃基板以及所述遮光金属层上;薄膜晶体管,其设置于所述第一绝缘层上,该薄膜晶体管具有源极、漏极、栅极以及半导体层;像素电极层,其与所述漏极电连接;公共电极层,其与所述遮光金属层电连接,所述像素电极层与所述公共电极层之间形成第一存储电容;所述遮光金属层的第一区域用于遮光,所述遮光金属层的第二区域与所述漏极正对以在该遮光金属层的第二区域与所述漏极之间形成第二存储电容。 |
地址 |
430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |