半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有第一导电层，第一导电层的表面与衬底表面齐平；在衬底和第一导电层表面形成介质层；在介质层表面形成掩膜层，掩膜层内具有掩膜开口；在掩膜层表面形成第二图形化层，第二图形化层内具有第二图形开口，且第二图形开口位于掩膜开口上方；以第二图形化层为掩膜，刻蚀介质层，在介质层内形成第一开口；在形成第一开口之后，去除第二图形化层；在第一开口的侧壁表面形成保护层；在形成保护层并去除第二图形化层之后，以掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，直至暴露出第一导电层表面为止，在介质层内形成第二开口；在第二开口内形成第二导电层。所形成的半导体结构形貌改善、电性能稳定。

主权项

一种半导体的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一导电层，所述第一导电层的表面与衬底表面齐平；在所述衬底和第一导电层表面形成介质层；在所述介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有掩膜开口；在所述掩膜层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层内具有第二图形开口，且所述第二图形开口位于所述掩膜开口上方；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成第一开口；在形成所述第一开口之后，去除所述第二图形化层；在所述第一开口的侧壁表面形成保护层；在形成所述保护层并去除所述第二图形化层之后，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，直至暴露出所述第一导电层表面为止，在所述介质层内形成第二开口；在所述第二开口内形成第二导电层。