| 发明名称 | 衬底结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种衬底结构的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延层，该外延层为III族或V族的半导体材料。本发明中，孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形，在其上形成不同族的外延层后，可以吸收部分由于晶格不匹配造成的应力，释放硅与外延层间的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN105789026A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410828203.X | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;罗军;赵超;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种衬底结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延层，该外延层为III族或V族的半导体材料。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||