| 发明名称 | 双模晶体管 | ||
| 摘要 | 一种方法包括：使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管(FET)型操作从晶体管的第一区域流向晶体管的第二区域。该方法还包括使体端子偏置以使得双极电流能够根据双极结型晶体管(BJT)型操作从第一区域流向第二区域。单极电流与双极电流并发地流动以在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中提供双模数字和模拟器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105793986A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201480065013.5 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | X·李;D·D·金;B·杨;J·金;D·W·佩里 |
| 分类号 | H01L27/07(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 杨丽 |
| 主权项 | 一种方法，包括：使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管(FET)型操作从晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域；以及使体端子偏置以使得双极电流能够从所述第一区域流向所述第二区域，其中所述双极电流根据双极结型晶体管(BJT)型操作被体端子电流调谐；其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||