发明名称 |
横向绝缘栅双极型晶体管 |
摘要 |
本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管,包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端,以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极,所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区,N型缓冲区内的P阱,P阱内的N-区,P阱表面的两个P+浅结和这两个P+浅结之间的N+浅结。本发明在正向导通时,P+浅结、P阱纵向注入,P+浅结横向注入,实现了空穴的高效注入,降低了导通电阻;反向关断时,N型缓冲区、N-区、N+浅结形成快速抽取少子(空穴)的路径,达到快速关断的目的,降低了关态损耗。 |
申请公布号 |
CN105789286A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201410810523.2 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
祁树坤 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
邓云鹏 |
主权项 |
一种横向绝缘栅双极型晶体管,包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端,以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极,其特征在于,所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区,N型缓冲区内的P阱,P阱内的N‑区,P阱表面的两个P+浅结和这两个P+浅结之间的N+浅结。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |