发明名称 |
红外探测器及其制作方法 |
摘要 |
本申请公开了一种红外探测器,包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n<sup>+</sup>下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n<sup>+</sup>中间电极接触层和p<sup>+</sup>上电极接触层,所述的n<sup>+</sup>下电极接触层、n<sup>+</sup>中间电极接触层和p<sup>+</sup>上电极接触层上分别形成有下电极、中间电极和上电极,所述n+中间电极接触层的厚度小于空穴载流子的扩散长度。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法和红外探测系统。本发明通过设置上电极接触层,利用差分放大电路互连,可以削弱、甚至消除可见光和高能粒子、射线照射引起的探测器噪声信号,不仅能够直接吸收正入射的红外辐射光子,而且具有抗可见光致盲和抗辐照功能。 |
申请公布号 |
CN104103697B |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201310118672.8 |
申请日期 |
2013.04.08 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
边历峰;任昕;杨晓杰;黄宏娟 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种红外探测器,其特征在于:包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n<sup>+</sup>下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n<sup>+</sup>中间电极接触层和p<sup>+</sup>上电极接触层,所述的n<sup>+</sup>下电极接触层、n<sup>+</sup>中间电极接触层和p<sup>+</sup>上电极接触层上分别形成有下电极、中间电极和上电极,所述n+中间电极接触层的厚度小于空穴载流子的扩散长度。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |