发明名称 一种在二维材料上制备电极的方法
摘要 本发明的一种简便可控的在二维材料上制备电极的方法属于材料科学及电子技术领域,步骤有,将载网(3)粘在打孔的胶带(4)的粘性面上,将聚合物薄膜(5)固定在胶带(4)的光滑面上,利用微观操作手转移至二维材料(2)的目标位置处并压紧,在载网(3)和二维材料(2)上沉积金属电极,用镊子去除载网(3),在二维材料(2)上得到微电极(7)。本发明的方法对设备要求低、条件温和、操作简便;而且仅通过改变载网的种类,即可方便地调控电极的形状及尺寸,适用性广。
申请公布号 CN105789549A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201610261497.1 申请日期 2016.04.25
申请人 吉林大学 发明人 郑伟涛;范苏娜;刘仁威;于陕升;田宏伟
分类号 H01M4/04(2006.01)I;H01G11/86(2013.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01M4/04(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 王恩远
主权项 一种在二维材料上制备电极的方法,有以下步骤:1)将二维材料(2)转移至SiO<sub>2</sub>/Si基底(1)上;2)采用打孔器在胶带(4)上打一个直径为1~2.5mm的小孔;3)将载网(3)粘在胶带(4)的粘性面上,其中载网(3)的中心点与胶带(4)上的小孔的中心点重合;4)将聚合物薄膜(5)固定在胶带(4)的光滑面上,所述聚合物薄膜(5)的厚度为1~5mm;5)将步骤4)得到的载网(3)/胶带(4)/聚合物薄膜(5)的组合体安装在微观操作手上的载玻片(6)上并利用微观操作手将组合体转移至步骤1)中的二维材料(2)的目标位置处,使组合体带有载网(3)的一侧朝向二维材料(2)并压紧;6)将步骤5)所述的微观操作手缓慢垂直抬起,并移除聚合物薄膜(5),在SiO<sub>2</sub>/Si基底(1)上得到覆盖载网(3)及胶带(4)的二维材料(2);7)在载网(3)胶带(4)和二维材料(2)上沉积50nm~200nm厚度的金属电极;8)用镊子去除载网(3)和胶带(4),在二维材料(2)上得到微电极(7)。
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