场截止绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供P型衬底；在P型衬底上外延形成N型的场截止层；在场截止层上通过外延形成至少两层N型漂移区，漂移区中越靠近场截止层的一层其N型杂质浓度越低、电阻率越高；形成场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；对P型衬底进行背面减薄处理；对场截止绝缘栅双极晶体管进行背面金属化处理。本发明还涉及一种场截止绝缘栅双极晶体管。本发明采用两次以上的外延制备漂移区，相同外延厚度情况下，可以优化电场分布，增加器件击穿电压。也就是说，在达到相同击穿电压的基础上，可以有效地降低器件的外延层厚度，一方面降低成本，一方面可以降低器件的关断损耗和热阻，提升器件性能。

主权项

一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供P型衬底；在所述P型衬底上外延形成N型的场截止层；在所述场截止层上通过外延形成至少两层N型漂移区，漂移区中越靠近所述场截止层的一层其N型杂质浓度越低、电阻率越高；形成所述场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；对所述P型衬底进行背面减薄处理；对所述场截止绝缘栅双极晶体管进行背面金属化处理。