发明名称 | 模拟开关及多路调制器 | ||
摘要 | 模拟开关具备电流路径的一端连接在输入端子上、上述电流路径的另一端与上述第1MOS晶体管的栅极连接、受上述第2电流控制的第2导电型的第1DMOS晶体管。模拟开关具备电流路径的一端连接在上述第1DMOS晶体管的电流路径的另一端上、上述电流路径的另一端连接在输出端子上、受上述第2电流控制的第2导电型的第2DMOS晶体管。模拟开关具备连接在上述第1DMOS晶体管的栅极与电流路径的另一端之间的第1开关元件。 | ||
申请公布号 | CN105790745A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
申请号 | CN201510518684.9 | 申请日期 | 2015.08.21 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 东海阳一 |
分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
主权项 | 一种模拟开关,其特征在于,具备:第1电流源,一端连接于第1电位,通过驱动而流过第1电流;第2电流源,一端连接于上述第1电位,通过驱动而流过第2电流;第1电阻,一端连接于上述第1电流源的另一端,第2电阻,一端连接于上述第2电流源的另一端;第1导电型的第1MOS晶体管,电流路径的一端连接于上述第1电阻的另一端,上述电流路径的另一端连接于第2电位;第1导电型的第2MOS晶体管,电流路径的一端连接于上述第2电阻的另一端,上述电流路径的另一端连接于上述第2电位,栅极连接于上述第1MOS晶体管的栅极;第2导电型的第1DMOS晶体管,电流路径的一端连接于输入端子,上述电流路径的另一端与上述第1MOS晶体管的栅极连接,该第2导电型的第1DMOS晶体管受上述第2电流控制;第2导电型的第2DMOS晶体管,电流路径的一端连接于上述第1DMOS晶体管的电流路径的另一端,上述电流路径的另一端连接于输出端子,该第2导电型的第2DMOS晶体管受上述第2电流控制;以及第1开关元件,连接于上述第1DMOS晶体管的栅极与电流路径的另一端之间,受上述第1电流控制。 | ||
地址 | 日本东京都 |