通过DC偏压调制的颗粒产生抑制器

摘要

本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。

主权项

一种用于减少处理腔室中的颗粒产生的方法，所述方法包括以下步骤：在顶部电极与底部电极之间产生等离子体；以及在膜沉积工艺期间对所述顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压。