发明名称 一种参考电压的驱动电路
摘要 本发明公开了一种参考电压的驱动电路,能够实现较好的PSRR,提高参考电压的建立速度,降低电路的功耗。本发明实施例提供的参考电压的驱动电路包括闭环负反馈环路和开环支路,开环支路中包括NMOS管(M31)和NMOS管(M32);NMOS管(M31)的漏极连接至电源VDD,NMOS管(M31)的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第一偏置电压,NMOS管(M31)的源极输出参考电压Vrp;NMOS管(M32)的漏极与NMOS管(M31)的源极相连接,NMOS管(M32)的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第二偏置电压,NMOS管(M32)的源极通过隔离电器件接地,NMOS管(M32)的源极输出参考电压Vrn。
申请公布号 CN103677040B 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201210362016.8 申请日期 2012.09.25
申请人 清华大学 发明人 李福乐;李玮韬;杨昌宜;王志华
分类号 G05F1/56(2006.01)I;H03M1/12(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京市隆安律师事务所 11323 代理人 权鲜枝;齐辉
主权项 一种参考电压的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括闭环负反馈环路和开环支路,所述开环支路中包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管M31和NMOS管M32;NMOS管M31的漏极连接至电源VDD,NMOS管M31的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第一偏置电压,NMOS管M31的源极输出参考电压Vrp;NMOS管M32的漏极与NMOS管M31的源极相连接,NMOS管M32的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第二偏置电压,NMOS管M32的源极通过隔离电器件接地,NMOS管M32的源极输出参考电压Vrn;所述闭环负反馈环路包括支路(21)、差分运放器40、差分运放器41和电荷泵(24),支路(21)中包括NMOS管M34和NMOS管M35;差分运放器40的差分运放正输入端接入初始参考电压Vrpin,差分运放器40的差分运放负输入端连接至NMOS管M34的源极,差分运放器40的输出端连接电荷泵(24)的一端,电荷泵(24)的另一端连接至NMOS管M34的栅极,向NMOS管M34和NMOS管M31的栅极提供所述第一偏置电压;差分运放器41的差分运放正输入端接入初始参考电压Vrnin,差分运放器41的差分运放负输入端连接至NMOS管M35的源极,差分运放器41的输出端连接至NMOS管M35的栅极,向NMOS管M35和NMOS管M32的栅极提供所述第二偏置电压;NMOS管M34的漏极连接至电源VDD,NMOS管M34的栅极接入第一偏置电压并与NMOS管M31的栅极相连接,NMOS管M34的源极与NMOS管M35的漏极相连接;NMOS管M35的栅极接入第二偏置电压并与NMOS管M32的栅极相连接。
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