发明名称 |
采用高气压和添加剂直接制备高球形度氮化硅粉体的方法 |
摘要 |
本发明属于无机非金属粉体材料领域,涉及一种碳热还原直接制备球形氮化硅粉体的方法,特别涉及一种采用高气压和添加剂直接制备高球形度氮化硅粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:将氧化硅、碳粉和添加剂通过球磨工艺进行处理,使其充分混合均匀,将所得的混合物置于石墨坩埚中,在炉子中进行碳热还原反应,碳热还原产物置于马弗炉中,于600~750℃保温1~5h,以排除多余的碳,即得到球形度高、分散性好、相纯度高的氮化硅粉体。其作为导热填料使用时,最终导热复合产品的固相填充量大、热导率高,有较好的应用潜力。且该氮化硅球形粉体的制备工艺简单,原料成本较低,有利于实现大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN105776158A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201510581883.4 |
申请日期 |
2015.09.14 |
申请人 |
天津纳德科技有限公司 |
发明人 |
陈克新;孙思源;王琦;葛一瑶 |
分类号 |
C01B21/068(2006.01)I |
主分类号 |
C01B21/068(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种采用高气压和添加剂直接制备高球形度氮化硅粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将氧化硅、碳粉和添加剂通过球磨工艺进行处理,使其充分混合均匀,以提高各原料物质之间的接触面积和反应活性;(2)将所述步骤(1)中所得的混合物置于石墨坩埚中,在炉子中进行碳热还原反应;(3)将所述步骤(2)中所得的产物置于马弗炉中,于600~750℃保温1~5h,以排除多余的碳,最终得到灰白色球形氮化硅粉体。 |
地址 |
300457 天津市滨海新区开发区第四大街80号天大科技园C4楼三层308室 |