| 发明名称 | 具有含氧控制层的存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有含氧控制层的存储装置及其制造方法，该存储装置，包括一第一金属层及一第二金属层、一金属氧化层以及至少一含氧控制层。金属氧化层是配置于第一金属层与第二金属层之间。至少一含氧控制层是配置于金属氧化层与第一及第二金属层的其一之间。至少一含氧控制层具有一梯度(graded)的含氧量。 | ||
| 申请公布号 | CN105789207A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410802401.9 | 申请日期 | 2014.12.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蒋光浩;李岱萤;赖二琨 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种存储装置，包括：一第一金属层及一第二金属层；一金属氧化层，配置于该第一金属层与该第二金属层之间；以及至少一含氧控制层，配置于该金属氧化层与该第一及该第二金属层的其一之间；其中，该至少一含氧控制层具有一梯度(graded)的含氧量。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||