p型宽禁带氧化物和ZnO组合垂直结构发光器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型宽禁带氧化物和ZnO组合垂直结构发光器及其制备方法。器件依次由衬底、在衬底上外延生长的n‑ZnO发光层、在n‑ZnO发光层上制备的空穴注入层、在空穴注入层上制备的上电极、在衬底下面制备的下电极构成，其特征在于：衬底为n型导电的Si单晶片，空穴注入层为p型宽禁带氧化物半导体薄膜材料，厚度范围为200nm～2000nm，载流子(空穴)浓度范围为2×10¹⁷～5×10¹⁹/cm³。本发明可以解决ZnO材料p型掺杂困难问题，同时器件采用垂直结构工艺简单，可进一步拓展器件的应用范围。

主权项

一种p型宽禁带氧化物和ZnO组合垂直结构发光器件，依次由衬底(1)、在衬底(1)上外延生长的n‑ZnO发光层(2)、在n‑ZnO发光层(2)上制备的空穴注入层(3)、在空穴注入层(3)上制备的上电极(4)、在衬底(1)下面制备的下电极(5)构成，其特征在于：衬底(1)为n型导电的Si单晶片，其载流子(电子)浓度范围为5×10¹⁷～2×10¹⁹/cm³，空穴注入层(3)为p型宽禁带氧化物半导体薄膜材料，厚度范围为200nm～2000nm，载流子(空穴)浓度范围为2×10¹⁷～5×10¹⁹/cm³。