| 发明名称 | 垂直存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了垂直存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN105789215A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610024352.X | 申请日期 | 2016.01.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴尚容;卢起程;朴亨;林泰完 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;刘灿强 |
| 主权项 | 一种制造垂直存储装置的方法，所述方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||