| 发明名称 | 包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105789109A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610016720.6 | 申请日期 | 2016.01.11 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | H-J·舒尔策;I·莫德;I·穆里 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中；以及通过将所述半导体本体浸入电解液中并且在所述半导体本体与接触所述电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在所述第一沟槽的底侧处形成阳极氧化物结构。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||