| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底，衬底中形成有隔离；在衬底上形成器件结构；在衬底的顶层硅中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除至少部分的埋氧层，以至少在器件结构的栅极下形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层以及孔绝缘层，并分别以导电材料进行空腔及刻蚀孔的填充，以分别形成背栅及连接孔。本发明在SOI器件的至少部分埋氧层处重新形成背栅，实现对器件的阈值电压的调节，工艺简单易行且集成度高，且可以通过形成的背栅介质层的厚度和k值的变化进行背栅阈值电压的调节，工艺可控性强。 | ||
| 申请公布号 | CN105789050A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410822744.1 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐烨锋;闫江;唐兆云;唐波;许静 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供SOI衬底，衬底中形成有隔离；在衬底上形成器件结构；在衬底的顶层硅中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除至少部分的埋氧层，以至少在器件结构的栅极下形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层以及孔绝缘层，并分别以导电材料进行空腔及刻蚀孔的填充，以分别形成背栅及连接孔。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||