发明名称 |
一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法,包括以下步骤:在晶体硅生长过程中,向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体,含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧,得到富含氧元素的富氧层,长晶完成后得到晶体硅,根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面,根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体,氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧,从而在晶体中形成富氧层,根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度,表征精确度较高。 |
申请公布号 |
CN105780113A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610136770.8 |
申请日期 |
2016.03.10 |
申请人 |
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
发明人 |
钟德京;邱家梁;张涛;黄伟冬;邹军 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法,其特征在于,包括以下步骤:在晶体硅生长过程中,向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体,所述含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在所述晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧,得到富含氧元素的富氧层,长晶完成后得到晶体硅,根据所述富氧层的生长界面获得所述晶体硅的生长界面,根据所述富氧层在所述晶体硅中的高度或所述富氧层的厚度计算得到所述晶体硅的生长速度。 |
地址 |
338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 |