| 摘要 |
본 발명은, 가열 처리를 실시한 경우에도 우수한 고광전 변환 효율 및 저암전류성을 나타내고, 고생산성으로 제조할 수 있는 광전 변환 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 광전 변환 소자는, 투명 도전성막과, 도전성막과, 투명 도전성막과 도전성막 사이에 배치된 광전 변환층 및 전자 블로킹층을 갖는 광전 변환 소자로서, 광전 변환층이, 벤젠 고리를 적어도 5 개 이상 포함하고, 총 고리수가 7 개 이상이고, 카르보닐기를 포함하지 않는 축합 다고리 탄화수소를 함유하고, 전자 블로킹층이, 일반식 (A) 로 나타내는 화합물로부터 Ra∼ Ra중 적어도 1 개의 기를 제거한 잔기를 갖고, 유리 전이점 (Tg) 이 200 ℃ 이상인 화합물 A 를 함유한다. |
