| 摘要 |
본 발명은 암 쇼트 방지를 위한 게이트 구동 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 구동 제어부의 디셋 단 전압을 감시하여 암 쇼트가 발생할 위험이 있는 경우 가변 저항부의 내부 저항을 제어하여 게이트 구동 신호의 시정수를 변경하고 상기 디셋 단 전압을 감시하여 암 쇼트가 발생하는 경우 상기 게이트 구동 신호 출력을 중지함으로써, 암 쇼트에 의하여 반도체 소자(IGBT)가 손상되는 것을 방지하는 암 쇼트 방지를 위한 게이트 구동 회로에 관한 것이다. 본 발명에 의한 암 쇼트 방지를 위한 게이트 구동 회로의 일 실시 예는, 구동 제어부로부터 입력되는 게이트 구동 신호를 증폭하고 상기 증폭된 게이트 구동 신호를 가변 저항부로 출력하는 구동 신호 전달부; 내부 저항을 이용하여 입력되는 상기 증폭 게이트 구동 신호의 시정수를 변경하고 상기 시정수가 변경된 증폭 게이트 구동 신호를 반도체 소자의 게이트 단으로 출력하는 가변 저항부; 상기 구동 제어부의 디셋 단 전압을 소정의 값과 비교하고, 상기 소정의 값과 비교한 결과를 이용하여 상기 가변 저항부의 내부 저항을 제어하는 저항 제어부; 및 상기 디셋 단 전압을 일정 값과 비교하고, 상기 일정 값과 비교한 결과를 이용하여 상기 게이트 구동 신호의 출력을 제어하는 구동 제어부; 를 포함할 수 있다. 본 발명에 의한 암 쇼트 방지를 위한 게이트 구동 방법의 일 실시 예는, 구동 제어부가 게이트 구동 신호를 출력하는 구동 신호 출력단계; 저항 제어부가 상기 구동 제어부의 디셋 단 전압이 소정의 값을 초과하는지 판단하는 암 쇼트 예측단계; 상기 구동 제어부의 디셋 단 전압이 소정의 값을 초과하는 경우 상기 저항 제어부가 가변 저항부의 제 1 스위치 소자(SW1)를 개방(Off)하고 제 2 스위치 소자(SW2)를 폐쇄(On)하는 제 1 구동 회로 보호단계; 상기 구동 제어부가 상기 디셋 단 전압이 일정 값 이상인지 판단하는 암 쇼트 감지단계; 및 상기 디셋 단 전압이 일정 값 이상인 경우 상기 구동 제어부가 상기 게이트 구동 신호의 출력을 중지하는 제 2 구동 회로 보호단계; 를 포함할 수 있다. |
