半导体加工用粘合带

摘要

本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。

主权项

一种半导体加工用粘合带，其特征在于，其是于基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，所述粘合剂层含有硅丙烯酸酯或含氟寡聚物，且所述硅丙烯酸酯或含氟寡聚物的含量相对于所述粘合剂层的总固体成分是多于0质量％且6质量％以下，所述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自所述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。