发明名称 一种Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜的制备方法。(1)配制质量百分比浓度为0.3~1%的HF溶液和质量百分比浓度为25~65%的HNO<sub>3</sub>溶液,两种配好的溶液取相同体积混合均匀,得混酸溶液;(2)将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小,置于步骤(1)所得混酸溶液中,20~50秒后待铜表面呈紫红色取出,依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟,随即在25~65℃水浴中静置3~7天,得Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比,最显著的特点是常温水浴法制备Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜,其制备工艺简单、周期短,制备的样品有较好的光电性能。
申请公布号 CN105753034A 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201610106968.1 申请日期 2016.02.28
申请人 桂林理工大学 发明人 江瑶瑶;钟福新;王晶晶;高云鹏;莫德清
分类号 C01G3/02(2006.01)I 主分类号 C01G3/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)配制质量百分比浓度为0.3~1%的HF溶液和质量百分比浓度为25~65%的HNO<sub>3</sub>溶液,两种配好的溶液取相同体积混合均匀,得混酸溶液;(2)将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小,置于步骤(1)所得混酸溶液中,20~50秒后待铜表面呈紫红色取出,依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟,随即在25~65℃水浴中静置3~7天,得Cu<sub>2</sub>O纳米薄膜。
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