使用InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道

摘要

晶体管或晶体管层包括位于2DEG GaN沟道上的InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体，例如对于Si衬底上的GaN MOS结构。GaN沟道可以形成于GaN缓冲层或叠置体中，以补偿GaN与Si之间的高的晶体结构晶格尺寸和热膨胀系数失配。双层覆盖叠置体包括位于下AlGaN层上的上InAlN层来在沟道中感应的电荷极化，补偿差的成分均匀性(例如，Al的成分均匀性)，并且补偿InAlN材料的底面的粗糙表面形貌。这可以产生在250欧姆/sqr与350欧姆/sqr之间的薄层电阻。这还可以减少在InAlN材料层的生长期间Si晶圆上的GaN的弯曲，并且提供用于在栅极区中蚀刻InAlN层的AlGaN收进层。

主权项

一种用于形成晶体管层的方法，包括：在衬底的顶面上形成GaN沟道层；在所述GaN层的顶面上形成双层覆盖叠置体，其中，形成所述双层覆盖叠置体包括：在AlN层的顶面上形成AlGaN材料的下覆盖层，所述AlN层形成于所述GaN层的所述顶面上；以及在所述AlGaN材料的顶面上形成AlInN材料的上覆盖层，其中，所述双层覆盖叠置体在形成于所述GaN层的上厚度中的2DEG沟道中产生每SQR 200欧姆与每SQR 300欧姆之间的薄层电阻。