| 发明名称 | 一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm‑5um，InGaN层、10nm‑1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1‑5μm、InGaN层厚度100‑500nm；DBR层为8‑16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40‑70nm和60‑90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103966621B | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410026998.2 | 申请日期 | 2014.01.21 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 张荣;陶涛;智婷;谢自力;刘斌;陈鹏;修向前;韩平;施毅;郑有炓 |
| 分类号 | C25B1/04(2006.01)I;C25B11/04(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm‑5um，InGaN层、10nm‑1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有N电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||