发明名称 一种密码芯片光故障注入系统和攻击方法
摘要 本发明公开了一种密码芯片光故障注入系统,其包括带有Flash存储器的待测密码芯片、紫外线灯、对密码芯片中Flash储存器进行读写操作的PC及程序烧写器、紫外控制装置;其中紫外线灯放置在距芯片4cm‑6cm处进行照射。利用本发明的上述系统能够对密码芯片进行光故障注入攻击,这种攻击方法复杂度很低,不需要复杂的计算,仅通过128次比较就能获得AES算法的完整密钥,对于密码芯片的破译及安全防护均具有十分重要的意义。
申请公布号 CN105763312A 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201610115573.8 申请日期 2016.03.02
申请人 中国人民解放军军械工程学院 发明人 王红胜;宋凯;张阳;陈开颜;李宝晨;陈军广;吴令安
分类号 H04L9/00(2006.01)I 主分类号 H04L9/00(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种密码芯片光故障注入系统,其特征在于:该系统包括如下装置:带有可反复擦写的Flash存储器并经解封的待测密码芯片、发射240nm‑260nm波长紫外线的紫外线灯、对密码芯片中Flash储存器进行读写操作的PC及程序烧写器、用于控制紫外线故障感应影响范围的紫外控制装置;其中紫外线灯放置在距芯片4cm‑6cm处进行照射。
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